特許

J-GLOBAL ID：200903061393531031

電子線回折による非晶質材料の構造解析方法

発明者： 三浦 博
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-038761
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213253
出願日： 1996年01月31日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 RHEDD法のもつ簡便性を保ち、シリコン酸化膜のような非晶質材料膜の構造解析を可能にする。【解決手段】 単結晶基板の表面に非晶質材料膜が形成された試料101に対し、その非晶質材料膜側に一次電子線102を入射角度約2°で照射し、試料表面からの回折図形をイメージングプレート103に記録する。イメージングプレート103の画像から、単結晶基板の回折ピークの対称性を利用して図形の原点位置Xを決定する。シリコン単結晶基板の1つの回折点までの距離をAとして、B=A・d1(d1はその回折点の実空間の面間隔)によりカメラ定数Bを求め、非晶質材料膜からのハローリングパターンの強度分布から、原点Xからピーク位置までの距離Cを求め、非晶質材料膜の短距離秩序の周期間隔d2を、d2=B/Cとして算出する。

請求項（抜粋）：

結晶基板の表面に非晶質材料膜が形成された試料を非晶質材料膜側から反射高速電子線回折法により測定して結晶基板の電子線回折像と非晶質材料膜の電子線回折像とを記録媒体としての蓄積性蛍光体シートに同時に記録するステップと、前記記録媒体に記録された電子線回折像を画像情報として取り込み、結晶基板の電子線回折像を基準にして非晶質材料膜の電子線回折像から非晶質材料膜の構造を示すパラメータを算出する画像処理ステップと、を備えたことを特徴とする非晶質材料の構造解析方法。

IPC (4件)：

H01J 37/22 501 ,  G01N 23/20 ,  H01J 37/295 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01J 37/22 501 D ,  G01N 23/20 ,  H01J 37/295 ,  H01L 21/316 Z