特許

J-GLOBAL ID：200903061396177530

半導体デバイス及びその製造方法

発明者： 小泉 孝雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-205284
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036504
出願日： 1998年07月21日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：

【要約】【課題】 適確且つ容易に半導体チップのセンシティブエリアへの封止樹脂の浸入防止を計り得るフリップチップ封止構造の半導体デバイスを提供すること。【解決手段】 この半導体デバイスの場合、一主面の所定箇所に配線パターン2が形成された基板1と、センシティブエリア6を有し、且つセンシティブエリア6側の電極4がバンプ3を介在させた上で配線パターン2に接続されることで基板1に対して隙間を有して実装される半導体チップ5と、基板1及び半導体チップ5の間の隙間に樹脂を流し込む樹脂封止を行って形成された封止樹脂7とを含む基本構成において、基板1におけるセンシティブエリア6に対向する位置の周辺には凹部10が設けられ、封止樹脂7は基板1及び半導体チップ5の間のセンシティブエリア6周囲を含む凹部10に向かう局部に空間部9を形成した上で凹部10の周辺に形成されている。

請求項（抜粋）：

一主面の所定箇所に配線パターンが形成された基板と、センシティブエリアを有し、且つ該センシティブエリア側の電極が前記配線パターンに接続されることで前記基板に対して隙間を有して実装される半導体チップと、前記基板及び前記半導体チップの間の前記隙間に樹脂を流し込む樹脂封止を行って形成された封止樹脂とを含む半導体デバイスにおいて、前記基板における前記センシティブエリアに対向する位置の周辺には凹部が設けられ、前記封止樹脂は、前記基板及び前記半導体チップの間の前記センシティブエリア周囲を含む前記凹部に向かう局部に空間部を形成した上で該凹部の周辺に形成されたことを特徴とする半導体デバイス。

IPC (3件)：

H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/28

FI (3件)：

H01L 21/56 E ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 23/28 C

Fターム (10件)：

4M105AA01 ,  4M105FF01 ,  4M105GG18 ,  4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA04 ,  4M109DB06 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• メンブレン基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-285997   出願人：ミツミ電機株式会社