(アルキルシクロペンタジエニル)シクロペンタジエニルルテニウムの製造方法及びその方法により製造される(アルキルシクロペンタジエニル)シクロペンタジエニルルテニウム、並びにその(アルキルシクロペンタジエニル)シクロペンタジエニルルテニウムを原料とする薄膜の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田中大輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-353966
公開番号（公開出願番号）：特開2001-172294
出願日： 1999年12月14日
公開日（公表日）： 2001年06月26日
要約：

【要約】【解決課題】(エチルシクロペンタジエニル)シクロペンタジエニルルテニウムを含む(アルキルシクロペンタジエニル)シクロペンタジエニルルテニウムを容易に製造すると共に、高純度の(アルキルシクロペンタジエニル)シクロペンタジエニルルテニウムを得ることができる方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウムと、無水カルボン酸とをリン酸を触媒として反応させてアシル化することにより、(アシルシクロペンタジエニル)シクロペンタジエニルルテニウムを製造し、前記(アシルシクロペンタジエニル)シクロペンタジエニルルテニウムを還元させてなる、(アルキルシクロペンタジエニル)シクロペンタジエニルルテニウムの製造方法である。また、(アシルシクロペンタジエニル)シクロペンタジエニルルテニウムの還元については、触媒の存在下で水素添加反応させることでより高純度の(アルキルシクロペンタジエニル)シクロペンタジエニルルテニウムとすることができる。

請求項（抜粋）：

次式【化1】で示されるビス(シクロペンタジエニル)ルテニウムと、次式【化2】(式中、R1は、直鎖又は側鎖のアルキル基を示す。)で示される無水カルボン酸とをリン酸を触媒として反応させてアシル化することにより、次式【化3】(一般構造式中、置換基R1の意義は上記と同様である。)で示される(アシルシクロペンタジエニル)シクロペンタジエニルルテニウムを製造し、前記(アシルシクロペンタジエニル)シクロペンタジエニルルテニウムを還元させてなる、次式、【化4】(一般構造式中、R2は、直鎖又は側鎖のアルキル基を示す。)で示される(アルキルシクロペンタジエニル)シクロペンタジエニルルテニウムの製造方法。

IPC (2件)：

C07F 17/02 , C23C 16/18

FI (2件)：

C07F 17/02 , C23C 16/18

Fターム (10件)：

4H050AA02 , 4H050AB99 , 4H050BD70 , 4H050BE20 , 4H050WB11 , 4H050WB21 , 4K030AA11 , 4K030BA01 , 4K030BA42 , 4K030LA15

前のページに戻る