特許
J-GLOBAL ID：200903061401754240
ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-211961
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055548
出願日： 1991年08月23日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 メサ型ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法において、エッチングにより確実にベース層を露出させることができる方法を提供する。【構成】 基板8上に、コレクタ層6、ベース層5、およびエミッタ層4が順次堆積され、エミッタ層4がベース層5よりバンドキャップの大きい半導体材料で形成されるメサ型ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法であって、エッチング領域9において、1対のエミッタ電極1および2を設け、エッチングに際しては、1対のエミッタ電極1、2間にプローブ12a、12bによって電圧を印加して電極間に流れる電流を測定するとともに、ベース層材料の禁制帯幅に相当するエネルギよりも高いエネルギを有する光を光源15よりエッチング領域9に照射して、電流が実質的に流れなくなる時点でエッチングを終了させる。
請求項（抜粋）：
基板上にコレクタ層、ベース層およびエミッタ層が順次堆積され、前記エミッタ層が前記ベース層よりバンドギャップの大きい半導体材料で形成されるヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法であって、エッチングによりベース層が露出されるべき領域と同じ構造を有する領域に、互いに離れた1対のエミッタ電極を設ける工程と、前記1対のエミッタ電極およびその下方領域が島状に残るよう前記エミッタ電極を保護しながら、前記エミッタ電極が設けられた領域と前記ベース層が露出されるべき領域とを同時にエッチングするエッチング工程とを備え、前記エッチング工程は、前記1対のエミッタ電極間に電圧を印加して前記電極間に流れる電流を測定するとともに、前記ベース層材料の禁制帯幅に相当するエネルギよりも高いエネルギを有する光を前記エミッタ電極の周囲のエッチングされた部分に照射して、前記電流が実質的に流れなくなる時点で終了させられる、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/205
, H01L 21/302
, H01L 21/331
, H01L 29/73
