特許
J-GLOBAL ID：200903061405560180
高融点金属層のCVD方法およびそのCVD装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-062805
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273046
出願日： 1994年03月31日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】 ブランケットCVDにより、W等高融点金属層を接続孔内に埋め込む際のボイドを防ぎ、表面モホロジを改善するCVD方法および装置を提供する。【構成】 接続孔3を含む被処理基板上全面に1×1011〜1×1013/cm3の高密度プラズマCVD装置により、基板バイアスを印加しながら高融点金属層6を堆積する。プラズマCVD前に、同一チャンバ内で希ガスによるスパッタ前処理を施しTi層4とTiN層5のオーバーハング部分の形状修正を行ってから高融点金属層6を堆積してもよい。【効果】 ソースガスは反応性の高い活性種となるのでWの成長核が均一に形成され、高アスペクト比の接続孔内部でも成長速度が均一となり、ボイド発生は防止される。また表面マイグレーション効果を利用して平滑な表面を形成できる。
請求項（抜粋）：
被処理基板にRFバイアスを印加しつつ、プラズマCVD法により高融点金属層を形成することを特徴とする、高融点金属層のCVD方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/285 301
, H01L 21/768
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示
前のページに戻る
