特許
J-GLOBAL ID：200903061409275286
GaN系結晶基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-188776
公開番号（公開出願番号）：特開平11-035397
出願日： 1997年07月14日
公開日（公表日）： 1999年02月09日
要約：
【要約】【課題】 厚膜で、しかも転位などの欠陥を内包しない高品質なGaN系結晶基板を得ることができるGaN系結晶基板の製造方法を提供すること。【解決手段】 ベース基板S上に、GaN系結晶に対して選択的にエッチング除去可能なバッファ層a1を介してGaN系結晶の薄膜層a2を形成し、その上にマスク層2を部分的に設け、マスク領域12と非マスク領域11とを形成する。これを用いてGaN系結晶の厚膜層を成長させ、バッファ層a1だけをエッチング除去してベース基板Sを分離し、反りの無いGaN系結晶基板を得る。
請求項（抜粋）：
GaN系結晶が成長可能なベース基板の一方の面に、GaN系結晶に対して選択的にエッチング除去可能な材料からなるバッファ層を介してGaN系結晶の薄膜層を形成し、前記薄膜層上面に、GaN系結晶が実質的に成長し得ない材料からなるマスク層を部分的に設けてマスク領域と非マスク領域とを形成し、非マスク領域を出発点としてマスク層上を覆うまでGaN系結晶の厚膜層を成長させ、バッファ層だけをエッチング除去することによってベース基板を分離し、GaN系結晶の厚膜層を有するGaN系結晶基板を得ることを特徴とするGaN系結晶基板の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38
, C30B 33/08
, H01L 33/00
, H01S 3/18
C30B 29/38 D
, C30B 33/08
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
