特許

J-GLOBAL ID：200903061410333125

表面清浄化法および薄膜形成法

発明者： 斎藤 國夫 ,  有田 睦信
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-119726
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307332
出願日： 1994年05月10日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】【目的】 基板の清浄化処理で生じるような清浄表面での気相成長の生起による表面の凹凸の発生がなく、還元斑のない清浄な表面を得る。【構成】 プラズマ発生室1と反応室2とがアパーチャ板3によって接続され、反応室2内の圧力を0.1Pa程度以上にし、プラズマ発生室1内の圧力が反応室2内の圧力よりも10〜100倍になるようにしてプラズマがプラズマ発生室1から反応室2に漏れるようにする。ウェハ4を反応室2内のサセプタにセットし、ヒータ8により約600°C以上に加熱し、プラズマ発生室1内にガス導入口9からH2 を供給してプラズマを発生させた後、反応室2内にガス導入口10からSiH4 を少量供給し、供給されたSiH4 は反応室2内に発生しているプラズマによって分解・励起され、ウェハ4の表面の酸化膜を還元する。

請求項（抜粋）：

水素および希ガスから選ばれた放電補助ガスのガスプラズマにIV族半導体の水素化物の中から選ばれた還元性ガスを添加して前記還元性ガスを分解・励起させ、加熱した基板の表面に晒すことにより、前記基板表面の酸化物を還元・除去することを特徴とする表面清浄化法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/02 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/31 C