特許

J-GLOBAL ID：200903061412475393

電磁防止成型体およびその製法

発明者： 北川 直明 ,  岡部 信一
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 鴨田 朝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-247726
公開番号（公開出願番号）：特開平10-088317
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1998年04月07日
要約：

【要約】【課題】 電磁波シールド効果が高く、金属薄膜とプラスチックとの密着性がよく、真空蒸着法を用いて生産性の高い電磁防止成型体およびその製造方法を提供する。【解決手段】 プラスチック成型品の表面に成膜の前処理として、空気圧2〜5kg/cm2 でブラスト処理を行い、このときブラスト粒子はアルミナ粒、ガラス粒、鉄粒、植物粒、合成粒から選ばれ、粒径は50〜500μmであり、ブラスト処理した成型品を洗浄後、真空槽に入れ、不活性ガスのプラズマに曝して真空蒸着法 イオンプレーティング法、スパッタ法などで0.5〜2μmの銅からなる第1層を成膜し、0.2〜1.0μmのニッケルからなる第2層を成膜する。

請求項（抜粋）：

プラスチック成型体の表面をブラスト粒子でブラスト処理した後に該表面からブラスト粒子を除去し、該プラスチック成型体に真空蒸着法で第1層として銅の薄膜を0.5〜2μm成膜し、第2層としてニッケルの薄膜を0.2〜1μm成膜する電磁防止成型体の製造方法。

IPC (6件)：

C23C 14/02 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/20 ,  H01F 1/16 ,  H01F 17/04 ,  H01F 41/20

FI (6件)：

C23C 14/02 A ,  C23C 14/06 N ,  C23C 14/20 A ,  H01F 17/04 F ,  H01F 41/20 ,  H01F 1/16 Z