特許

J-GLOBAL ID：200903061415772410

シリコン半導体基板および太陽電池用基板の製造方法

発明者： 浅井 正人
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-160002
公開番号（公開出願番号）：特開平10-007493
出願日： 1996年06月20日
公開日（公表日）： 1998年01月13日
要約：

【要約】【課題】 結晶の方向性が揃った廉価に製造することができるシリコン半導体基板の製造方法および太陽電池用基板の製造方法を提供する。【解決手段】 るつぼ9の底面に、角形で表面の軸方向が[100]である種結晶20を隙間なく配置し、るつぼ9に半導体材料19を装入して種結晶20を融解させないように半導体材料19を融解する。半導体材料19の融解後は、るつぼ9の側面温度が底部の下面温度を下回らないように制御しつつ半導体材料19を凝固させ、るつぼ9の底面全面から上方に向けて結晶の方向性の揃った半導体結晶を作成し、凝固した結晶を予め定める厚さに切り出して半導体基板を製造する。

請求項（抜粋）：

不活性な雰囲気下で、シリコンの種結晶を底面に配置したるつぼ内にシリコン半導体材料を装入し、るつぼ底部の下面温度をシリコン半導体材料の融点以下に保ちながらシリコン半導体材料のみを融解した後、るつぼを冷却し、融解したシリコン半導体材料を凝固させて種結晶から半導体の結晶を成長させ、予め定める厚さに切断するシリコン半導体基板の製造方法において、前記種結晶は、[100]方向に成長するように製造された単結晶インゴットから(100)面を表面とする矩形の板状となるように切り出されることを特徴とするシリコン半導体基板の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 501 ,  C30B 11/14 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

C30B 29/06 501 Z ,  C30B 11/14 ,  H01L 31/04 H