特許

J-GLOBAL ID：200903061423524930

金属シリサイド膜の製造方法

発明者： 伊藤 忠 ,  東 博純 ,  野田 正治
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-228254
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058063
出願日： 1993年08月20日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 LSI等の配線に金属シリサイド膜を適用したとき,金属シリサイド膜に内在する内部応力を低減することが可能な金属シリサイド膜の製造方法を提供すること。【構成】 シリコン基板上に、このシリコンと固相反応してシリサイドを生成する金属膜を形成し,該金属膜とシリコンを固相反応させて金属シリサイド膜を製造する方法であって,少なくとも600°Cの温度まで100°C/ 分以下の加熱速度で加熱し,準安定な金属シリサイド膜を形成し、その後準安定な金属シリサイド膜を安定な金属シリサイド膜に変化させる温度まで加熱し, その温度で熱処理することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に、このシリコンと固相反応してシリサイドを生成する金属膜を形成し,該金属膜とシリコンを固相反応させて金属シリサイド膜を製造する方法であって,少なくとも600°Cの温度まで100°C/ 分以下の加熱速度で加熱し,準安定な金属シリサイド膜を形成し、その後準安定な金属シリサイド膜を安定な金属シリサイド膜に変化させる温度まで加熱し, その温度で熱処理することを特徴とする金属シリサイド膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 Q ,  H01L 21/90 C