特許

J-GLOBAL ID：200903061424933656

薄膜多結晶シリコン及びこれを用いた光起電力素子の製造方法

発明者： 綾 洋一郎 ,  佐野 景一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-034767
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245422
出願日： 1994年03月04日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】 支持基板上に形成される薄膜多結晶シリコンの膜内残留歪みを軽減することにより、膜中の欠陥密度を低減することにある。【構成】 支持基板(1)と、多結晶シリコン(3)’の出発材料となる非晶質シリコン膜(3)との間に、歪み緩和のための、金属又は金属塩(2)を介挿入せしめたことにある。

請求項（抜粋）：

支持基板の表面上に、非晶質シリコン膜の結晶化温度以下で溶融された金属又は金属塩と、熱処理により多結晶化された上記非晶質シリコン膜とが、積層されて成る薄膜多結晶シリコン。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/0248

FI (3件)：

H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 X ,  H01L 31/08 G

引用特許：

出願人引用 (8件)

• 特開平1-110776
  
• 特開平4-133357
  
• 特開平1-309314
  
• 特開平3-126220
  
• 特開平4-291967
  
• 多結晶シリコン膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-082104   出願人：三洋電機株式会社
• 光電変換素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-200186   出願人：シヤープ株式会社
• 特開昭63-152177
  

審査官引用 (1件)

• 特開平1-110776