特許
J-GLOBAL ID：200903061424933656
薄膜多結晶シリコン及びこれを用いた光起電力素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-034767
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245422
出願日： 1994年03月04日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：
【要約】【目的】 支持基板上に形成される薄膜多結晶シリコンの膜内残留歪みを軽減することにより、膜中の欠陥密度を低減することにある。【構成】 支持基板(1)と、多結晶シリコン(3)’の出発材料となる非晶質シリコン膜(3)との間に、歪み緩和のための、金属又は金属塩(2)を介挿入せしめたことにある。
請求項（抜粋）：
支持基板の表面上に、非晶質シリコン膜の結晶化温度以下で溶融された金属又は金属塩と、熱処理により多結晶化された上記非晶質シリコン膜とが、積層されて成る薄膜多結晶シリコン。
IPC (3件)：
H01L 31/04
, H01L 21/205
, H01L 31/0248
H01L 31/04 A
, H01L 31/04 X
, H01L 31/08 G
