特許

J-GLOBAL ID：200903061427319002

半導体装置の実装方法及びその実装構造、並びに半導体装置及びその製造方法

発明者： 沢田 浩一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-225328
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037222
出願日： 2001年07月26日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】 熱膨張によって部材が変形することなく、接続部の良好な電気特性が得られる半導体装置の実装方法及びその実装構造、並びに半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 モールド樹脂9に水等の液体を内包したカプセル19を混入し、このモールド樹脂9を用い、中間基板10に固定した半導体チップ4を含む中間基板10の上面を樹脂封止して半導体装置3を形成する。これにより、この半導体装置3をマザー基板2に実装する際のリフローによる加熱時にも、各部材の線膨張係数の差による反りがモールド樹脂9内の気孔21によって緩和され、反りに伴う接合部の破壊を抑制することができる。

請求項（抜粋）：

半導体チップが封止材によって封止された半導体装置において、前記封止材の少なくとも内部に気孔又は空洞が形成されていることを特徴とする、半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/29 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/12 501 ,  H01L 23/31

FI (3件)：

H01L 21/56 T ,  H01L 23/12 501 W ,  H01L 23/30 R

Fターム (13件)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA21 ,  4M109EA02 ,  4M109EB18 ,  4M109EC04 ,  4M109ED03 ,  4M109GA10 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA21 ,  5F061DE03 ,  5F061FA06