特許

J-GLOBAL ID：200903061434661174

半導体発光素子

発明者： 寺門 知二
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-163061
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013809
出願日： 1991年07月03日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 InGaAsP/InP半導体発光素子において電子のオーバーフローを抑制し、発光効率・光飽和特性の改善を図る。【構成】 n-InP半導体基板10上に、n-InP第1のクラッド層11と、InGaAsP又はInGaAsを含む発光層12と、p-In1 - x Alx As(X=0.48〜1.00)歪バリア層13と、p-InP第2のクラッド層14が積層された構造を有する。【効果】 発光層12と第2のクラッド層14の間に、p-In1 - xAlx Asの歪バリア層14を設けることによって、発光層と歪バリア層間の伝導帯のヘテロ障壁を大きくできる。従って発光層12に注入された電子が、第2のクラッド層14に漏れることなく正孔と発光再結合するため、発光効率が高く、光出力が高出力まで飽和しないInGaAs(P)を発光層とする半導体発光素子が得られる。

請求項（抜粋）：

n形のInP半導体基板上に、n形のInPの第1のクラッド層と、InGaAsP又はInGaAsを少なくとも含む発光層と、p形のIn1 - x Alx As(X=0.48〜1.00)からなる歪バリア層と、p形のInPの第2のクラッド層が、順次積層された構造を有する半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-222577
  
• 特開平3-084969
  
• 特開昭62-122190