特許
J-GLOBAL ID：200903061438230097
ドライエッチング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-093435
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267235
出願日： 1992年03月18日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】[目的]ドライエッチング装置において、電極寿命を延ばし、パーティクルの発生を防止し、均一なエッチング特性が得られるようにする。[構成]真空容器10の中央部に上部電極12と下部電極14とが一定の間隔をおいて互いに平行に配設され、下部電極14上に被処理体として半導体ウエハWが載置される。上部電極12は、単結晶シリコンからなる円形の板体であり、板面にはエッチングガスを通すための多数の通気孔12aが形成されている。上部電極12の裏側には電極12とほぼ同じ形状の背板30が設けられ、この背板30にもエッチングガスを通すための多数の通気孔30aが形成されている。上部電極12は,背板30を介して冷却バャケット32に結合される。
請求項（抜粋）：
反応容器内で対向して配置された電極間に高周波電圧を印加して前記電極間にプラズマを発生させ、一方の電極上に配置された被処理体をエッチングするようにしたドライエッチング装置において、前記被処理体が配置される一方の電極とは反対側の他方の電極を単結晶シリコンで構成してなることを特徴とするドライエッチング装置。
引用特許：
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