特許
J-GLOBAL ID：200903061446519004
乾式薄膜加工装置用加熱装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-113539
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326081
出願日： 1993年05月17日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】大気側から加熱エネルギーを供給される昇温体と、該昇温体を覆い、載置された半導体基板に昇温体からの熱を伝達する基板載置台とからなる加熱ステージが真空容器内で所定の高さに支持される加熱装置を、薄膜加工時に重金属汚染を生ぜず、熱的には鋳込みアルミヒータと同等の性能を有する装置に構成する。【構成】昇温体2aを、シースヒータ2を折り曲げ成形して形成するとともに基板載置台4を、基板載置面41aと昇温体収納空間41bとを備えた、純アルミからなる加熱部41と、昇温体2aを収納空間41b内に保持する,純アルミからなる保持部42とで構成する。基板への伝熱効率,均熱化性能を向上させるため、収納空間の内壁面,保持部の保持面を昇温体表面に密に沿うように形成し、あるいは収納空間41b内に金属粉末を充填して加圧成型する構造とする。
請求項（抜粋）：
大気側から加熱エネルギーを供給される昇温体と、該昇温体を覆い載置された半導体基板に昇温体からの熱を伝達する基板載置台とからなり、半導体基板表面に薄膜を気相成長させ、あるいはエッチングを行う等の薄膜加工を行うためのガスが減圧状態に導入される真空容器内に所定の高さに剛に支持される加熱ステージと;加熱ステージを剛に支持するとともに昇温体への加熱エネルギーを導入するための導入管路を構成する筒状の支持体と;を備えた乾式薄膜加工装置用加熱装置において、加熱ステージの昇温体を、抵抗加熱線が金属シース内を金属シースと絶縁を保って挿通されたシースヒータを折り曲げ成型して形成するとともに、昇温体を覆う基板載置台が、半導体基板を載置する載置面と,昇温体を収納するための収納空間とを備えた,純アルミからなる加熱部と、昇温体を加熱部の収納空間内に保持するとともに加熱ステージを真空容器内に剛に支持する支持体と一体化される,純アルミからなる保持部とからなることを特徴とする乾式薄膜加工装置用加熱装置。
IPC (4件)：
H01L 21/31
, C23C 16/46
, C30B 25/10
, H01L 21/205
