特許
J-GLOBAL ID:200903061448121024

強磁性金属化合物膜

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-165601
公開番号(公開出願番号):特開平11-016726
出願日: 1997年06月23日
公開日(公表日): 1999年01月22日
要約:
【要約】【課題】高感度,高記録密度用の磁界センサー用材料の提供にある。【解決手段】高いホール抵抗がとれ、かつ、飽和磁化が高く、高い磁場までホール抵抗の線形域があるような材料として、Fe,Co,Niの少なくとも一つの強磁性体金属原子にNあるいはCの非磁性原子を進入させた体心正方晶をもつ化合物膜であって、当該膜の室温での異常ホール係数が当該膜を構成する金属膜の異常ホール係数より高いことを特徴とする強磁性金属化合物膜。
請求項(抜粋):
単結晶基板上に作製した鉄(Fe),コバルト(Co),ニッケル(Ni)の少なくとも一つの強磁性体金属原子に窒素(N)あるいは炭素(C)の非磁性原子を侵入させた体心正方晶をもつ化合物膜であって、当該膜の室温での異常ホール係数が、当該膜を構成する金属膜の室温における異常ホール係数より高いことを特徴とする強磁性金属化合物膜。
IPC (2件):
H01F 10/12 ,  G11B 5/39
FI (2件):
H01F 10/12 ,  G11B 5/39

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