特許

J-GLOBAL ID：200903061454769362

液晶デイスプレイ用半導体装置の製造方法

発明者： 山本 正剛 ,  大西 隆
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 金丸 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-263952
公開番号（公開出願番号）：特開平5-100248
出願日： 1991年10月11日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【構成】 薄膜状の配線を備えた液晶ディスプレイ用半導体装置を製造するに際し、合金成分としてTa、Ti、Zrの中の1種又は2種以上を総量で 0.1〜10at%含有するAl基合金により薄膜状の配線を形成し、且つ、この配線のパターニング工程の前または後に配線の熱処理を250 〜500 °Cの温度で行う。【効果】 配線のヒロック及びボイド等の不具合を生じることなく、比抵抗:20μΩcm以下の配線抵抗が小さい液晶ディスプレイ用半導体装置を製造し得る。

請求項（抜粋）：

半導体装置の基板上に薄膜状の配線をスパッタリング等の物理蒸着法により形成する工程と、前記配線をパターニングする工程と、該パターニング工程の前または後に前記配線を熱処理する工程とを含む製造工程により、薄膜状の配線を備えた液晶ディスプレイ用半導体装置を製造するに際し、前記薄膜状の配線を合金成分としてTa、Ti、Zrの中の1種又は2種以上を総量で 0.1〜10at%含有するAl基合金により形成し、且つ、前記配線の熱処理を250 〜500 °Cの温度で行うことを特徴とする液晶ディスプレイ用半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 21/88 N ,  H01L 29/78 311 A