特許

J-GLOBAL ID：200903061456154934

アレイ型半導体レーザ装置

発明者： 渡辺 斉
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-174369
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046279
出願日： 1994年07月26日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 レーザ素子を電気的に直列に接続することで、大電流を供給せずとも高出力を達成するアレイ型半導体レーザ装置を得ることを目的とする。【構成】 メサ型半導体レーザ素子間には、底部がFeドープ半絶縁性InP層4の表面に達する溝Lが設けられ、溝Lによって各々のメサ型半導体レーザ素子が分離され電気的に絶縁される構成となっている。【効果】 複数の半導体レーザ素をそれぞれ電気的に独立した素子とし、複数の半導体レーザ素子を電気的に直列に接続することができるので、大電流を供給せずとも高出力を達成するアレイ型半導体レーザ装置を得ることができる。

請求項（抜粋）：

共通の基板上に活性層を含む半導体層を積層して形成された複数の半導体レーザ素子を列状に配列して構成されるアレイ型半導体レーザ装置において、前記基板を、前記半導体レーザ素子の電流を前記半導体レーザ素子との接触面で遮る基板とし、前記列状の複数の半導体レーザ素子をそれぞれの隣接部分において電気的に絶縁する絶縁手段と、前記複数の半導体レーザ素子を電気的に直列に接続する接続手段とを備えたことを特徴とするアレイ型半導体レーザ装置。