特許

J-GLOBAL ID：200903061462800538

半導体ケミカル・センサ

発明者： ピーター・エム・リビングストン
出願人/特許権者： ティーアールダブリュー・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-344119
公開番号（公開出願番号）：特開平11-237357
出願日： 1998年12月03日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：

【要約】【課題】 小型軽量で非常に化学的特定性が高い化学検出器を提供する。【解決手段】 ガス中の化学種を検出する化学的検知器は、ガス中の化学種を吸着する物質から成る多孔質有機半導体14を含む検出素子10を備えている。化学的検知器は、更に、バイアス電圧を生成する電源34と、検出素子内の空乏領域22とを備えている。化学種は、バイアス電圧の下で、有機半導体を通過して空乏領域内に浸透し、検出素子の容量変化を起こさせる。光源が、検出素子に入る前のガスに光を照射する。光は、化学種の化学的性質を変化させ、有機半導体の吸着選択性を高める。化学的検知器は、検出素子の容量変化に基づいて、ガス中の化学種の存在および濃度を判定することができる。化学的検知器は、現場における検査用途に適した携帯ユニット内に備えることができる。

請求項（抜粋）：

ガス中の化学種を検出するための半導体化学的検知器であって、a)検出素子であって、i)入力面と、ii)有機半導体物質から成り、その上に前記化学種を吸着する多孔質層であって、空乏領域を有する多孔質層と、から成る検出素子と、b)前記検出素子に電気的に接続され、前記検出素子内にバイアス電圧を生成し、該バイアス電圧の下で前記化学種が前記多孔質層を通して前記空乏領域に浸透し、前記検出素子の容量を変化させるようにする電源と、c)前記ガスが前記入力面から前記検出素子に入る前に、前記ガスに光を照射するように配置された光源であって、前記化学種の化学的性質を変化させるように作用する少なくとも1つの光波長を放出し、前記化学種に対する前記有機半導体物質の吸着選択性を高める光源と、d)前記空乏領域の容量変化に基づいて、前記ガス中の前記化学種の存在を判定する手段と、を備える半導体化学的検知器。