特許

J-GLOBAL ID：200903061463480626

シリカ系被膜の製造法及び半導体装置の製造法

発明者： 野部 茂 ,  榎本 和宏 ,  山本 靖浩 ,  成田 武憲 ,  森嶋 浩之
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-215496
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049154
出願日： 1998年07月30日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 誘電率の低いシリカ系被膜の製造法及び誘電率の低いシリカ系被膜を層間絶縁膜として有する半導体装置の製造法を提供する。【解決手段】 シリカ系被膜形成用塗布液を基板に塗布後、その被膜を60°C/分以下の昇温速度で室温〜50°Cから300〜600°Cの硬化温度まで加熱して硬化させる工程を合むことを特徴とするシリカ系被膜の製造法及びこのシリカ系被膜の製造法により層間絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造法。

請求項（抜粋）：

シリカ系被膜形成用塗布液を基板に塗布後、その被膜を60°C/分以下の昇温速度で室温〜50°Cから300〜600°Cの硬化温度まで加熱して硬化させる工程を合むことを特徴とするシリカ系被膜の製造法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  C09D183/04 ,  H01L 21/768 ,  H05K 3/46

FI (4件)：

H01L 21/316 G ,  C09D183/04 ,  H05K 3/46 B ,  H01L 21/90 Q