特許
J-GLOBAL ID：200903061467385610
基板処理装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-284686
公開番号（公開出願番号）：特開2003-092291
出願日： 2001年09月19日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：
【要約】【課題】 リモートプラズマで活性化したガスを、基板上に活性な状態のまま運び、基板面内に均一性の高い薄膜を形成する。【解決手段】 枚葉式基板処理装置は、基板Wを処理する反応管1と、反応管1に励起しないガスと励起するガスとを交互に供給するガス供給系2,3と、反応管1を排気する排気系5と、励起するガスを供給するガス供給系3と反応管1との間に設けられ、ガスをプラズマにより励起することにより活性種を生成する放電管4とを備える。放電管4の管内圧力は、放電管4で生成した活性種が、活性な状態のまま反応管1の基板Wの全体に行き届く程度のライフタイムを有することとなるように、反応管1の炉内圧力と同程度に低圧に調整される。放電管4の管内圧力を炉内圧力と同程度に低圧に調整するには、管軸方向にわたって内径が同一のストレート放電管を用いるとよい。
請求項（抜粋）：
基板を処理する反応管と、前記反応管にガスを供給するガス供給系と、前記反応管を排気する排気系と、前記反応管と前記ガス供給系との間に設けられ、前記ガスをプラズマにより励起することにより活性種を生成する放電管とを備え、前記放電管で生成した活性種が、活性な状態のまま前記反応管内の基板の全体に行き届く程度のライフタイムを有することとなるように、前記放電管の管内圧力が調整されていることを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 C
, C23C 16/44 A
4K030AA06
, 4K030AA13
, 4K030BA40
, 4K030CA04
, 4K030EA01
, 4K030FA01
, 4K030JA09
, 4K030KA04
, 4K030LA15
, 5F045AA15
, 5F045AB33
, 5F045AC05
, 5F045AC12
, 5F045AF03
, 5F045BB02
, 5F045DP04
, 5F045DP19
, 5F045DQ05
, 5F045DQ06
, 5F045EE19
, 5F045EH18
, 5F045GB06
