特許
J-GLOBAL ID：200903061473367640
プラズマCVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂間 暁 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-214009
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066138
出願日： 1993年08月30日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 アモルファスシリコン太陽電池、薄膜トランジスタ、光センサ、半導体保護膜等の薄膜製造用のプラズマCVD装置に関するもので、基板の中央部から周辺部にわたって膜厚の均一な薄膜を製造できるようにする。【構成】 反応容器1内にはプラズマ発生用電極30、接地電極3が配置され反応ガスが両電極間に導入される。電極3,30間には高周波電源4よりグロー放電プラズマ発生用の電力が供給され両電極3,30間にはプラズマが発生する。一方、互いに直交配置されたソレノイドコイル14a、14b、15a、15bには各々交流電源16より磁界発生用電力が供給され、これにより基板13と平行な面に回転磁界によりプラズマを揺り動かす力を発生させる。プラズマ発生用電極30にはプラズマ導入孔101が中央部は小さく、周辺部に近ずくに従って大きな直径となるように設けてあるので、反応ガスが中央部から周辺部に均一に分布し、前記の回転磁界による力と共に基板に均一な厚さの薄膜を成形する。
請求項（抜粋）：
反応容器と、この反応容器に反応ガスを導入して排出する手段と、前記反応容器内に収容された接地電極及び前記反応ガスの導入孔を有するプラズマ発生用電極と、このプラズマ発生用電極にグロー放電用電力を供給する電源と、前記両電極間の電界に直交し、かつ互いに軸芯が直交する方向になるように反応容器を挟んで設置された2対のソレノイドコイルと、これらのソレノイドコイルに磁界発生用電力を供給する交流電源とを具備してなり、前記両電極間の電界に直交するように支持された基板上に非晶質薄膜を形成するプラズマCVD装置において、前記プラズマ発生用電極の反応ガス導入孔は周辺部ほど前記反応ガスの吐出量が多くなるように形成したことを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, C23C 16/50
, C30B 29/06 504
