特許
J-GLOBAL ID：200903061478329827
絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及びそれを用いた半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-210370
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036916
出願日： 1991年07月29日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】 ソース、およびドレインの浮遊容量の低減された絶縁ゲート型電界効果トランジスタを作製し、高速動作が可能で、ラッチアップ現象等のない、耐放射線特性の優れた半導体装置を提供する。【構成】絶縁ゲート型電界効果トランジスタ2,3の、少なくともチャネル領域を構成する単結晶層4,5が、多孔質化されたシリコン基体上の非多孔質単結晶層の表面或いは、該非多孔質単結晶層の酸化表面を、酸化膜18を表面に有するシリコン基体1の該酸化膜に貼り合わせてのち、該多孔質化されたシリコン基体を少なくとも湿式化学エッチングを含む工程により除去して得られた、酸化膜18を表面に有するシリコン基体1上の単結晶半導体層である。
請求項（抜粋）：
絶縁ゲート型電界効果トランジスタの、少なくともチャネル領域を構成する単結晶層が、多孔質化されたシリコン基体上の非多孔質単結晶層の表面或いは、該非多孔質単結晶層の酸化表面を、酸化膜を表面に有するシリコン基体の該酸化膜に貼り合わせてのち、該多孔質化されたシリコン基体を少なくとも湿式化学エッチングを含む工程により除去して得られた、酸化膜を表面に有するシリコン基体上の単結晶半導体層である絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 27/092
, H01L 27/12
, H01L 21/02
