特許

J-GLOBAL ID：200903061487052544

多層構造方式での高実装密度の半導体パワーモジュール

発明者： ハインリッヒ ハイルブロンナー
出願人/特許権者： ゼミクロン エレクトローニク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 伊藤 武久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-106194
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093017
出願日： 1997年04月23日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】 わずかな構造高で欠点のない絶縁が達成される半導体パワーモジュールを提供する。【解決手段】 多層構造がサンドイッチ技術で実現されており、また半導体素子(5、6)が、一つの面にはろう付けによってあるいは押圧接触によって、サブストレート(1)の、電気的に伝導性のある材料からなる、構造を与えられた面(3)と電気的に且つ熱的に接続されており、別の接触面上には、ろう付けによってあるいは押圧接触によって、回路に適合した全ての接続部が、フレキシブルな導体プレート(10、11、12)によって作り出されており、また、当該配置の絶縁が、構造を与えられた絶縁中間層(プリプレグ8)によってラミネートすることにより行われており、そのとき、前記半導体素子及び接点のための空所が当該絶縁中間層に設けられている。

請求項（抜粋）：

少なくとも一つの電気的に絶縁しているサブストレート(1)を有し、その上において電気的に伝導性のある材料からなる面(3)が構造を与えられており、当該面(3)と冷却されるべき半導体素子(5、6)とが電気的に結合されており、他方また当該半導体素子のほうは回路に適合して外部の接続要素(11)と接触させられている、多層構造方式での高実装密度の半導体パワーモジュールにおいて、多層構造がサンドイッチ技術で実現されており、また半導体素子(5、6)が、一つの面にはろう付けによってあるいは押圧接触によって、サブストレート(1)の、電気的に伝導性のある材料からなる、構造を与えられた面(3)と電気的に且つ熱的に接続されており、別の接触面(7)上には、ろう付けによってあるいは押圧接触によって、回路に適合した全ての接続部が、フレキシブルな導体プレート(10、11、12)によって作り出されており、また、当該配置の絶縁が、構造を与えられた絶縁中間層(プリプレグ8)によってラミネートすることにより行われており、そのとき、前記半導体素子及び接点のための空所が当該絶縁中間層に設けられている、前記半導体パワーモジュール。

IPC (2件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18