熱処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松阪正弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-200931
公開番号（公開出願番号）：特開2005-044881
出願日： 2003年07月24日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：

【課題】チャンバ内で基板が割れることがあっても、簡単な構造で基板の破片の飛散を抑制する。【解決手段】熱処理装置1は、基板9を熱処理する空間を形成するチャンバ本体6、チャンバ本体6内において基板9を保持するサセプタ7、サセプタ7からの熱エネルギーを反射するヒータリフレクタ30、チャンバ本体6の底面に対してサセプタ7を昇降するサセプタ昇降機構4、サセプタ7の外周に配置されるライナ20、および、基板9に光を照射して基板9を加熱する光照射部5を備える。熱処理装置1では、ライナ20とヒータリフレクタ30とにより、サセプタ7の外周にてラビリンス構造60を形成することにより、熱処理を行う際にチャンバ65内で基板9が割れることがあっても、基板9の破片の飛散を抑制できる。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

基板に加熱を伴う処理を行う熱処理装置であって、基板を処理する空間を形成するチャンバ本体と、前記チャンバ本体内において基板を保持しつつ前記基板を加熱する保持部と、前記保持部から放射される熱エネルギーを少なくとも前記保持部の外周にて反射する熱反射部と、前記保持部の外周に配置され、前記熱反射部とともに前記チャンバ本体内にラビリンス構造を形成する環状部と、を備えることを特徴とする熱処理装置。

IPC (1件)：

H01L21/26

FI (1件)：

H01L21/26 G

引用特許：

審査官引用 (5件)

熱処理装置及びガス処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-225729 出願人：東京エレクトロン株式会社
特開平4-291916
半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-310695 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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