特許

J-GLOBAL ID：200903061493823358

可遮断性接続

発明者： アルフレッド ア-ル ダンロップ ,  ロバ-ト チャ-ルズ フライ ,  キン リェン テイ
出願人/特許権者： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-119916
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160265
出願日： 1992年04月15日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】 テスト後に不要になるESD回路をMOS回路から摘出するための可遮断性リンクを実現する。【構成】 この可遮断性リンクは、2個のパッドを包含する領域とこのパッド間の絶縁区域上に導電層を堆積することにより形成される。この2個のパッドは堆積された導電層により湿潤されやすく、前記絶縁区域は堆積された導電層により非常に湿潤されにくい。導電層の融点以上に堆積導電層の温度を上昇させることによりリンクは破壊される。導電層が溶融すると、2個のパッドの湿潤作用が絶縁区域の非湿潤作用と協動して、絶縁区域から溶融導電層を引き離し、そして、2個のパッド上に溶融導電層を引き寄せる。絶縁区域からの引き離しにより2個のパッド間の電気的接続が遮断される。

請求項（抜粋）：

基板の導電性通路に接続された第1の導電性パッド;前記基板の別の導電性通路に接続された第2の導電性パッド;前記第1のパッドと前記第2のパッドとの間の電気的絶縁領域;前記第1のパッドの少なくとも一部分と前記第2のパッドの少なくとも一部分を被覆し、可遮断性リンクを形成する導電性層セグメント;からなり、前記可遮断性リンクは、前記第1および第2のパッドを形成する材料の表面エネルギーよりも低い表面エネルギーを有し、かつ、前記絶縁領域を形成する材料の表面エネルギーよりも高い表面エネルギーを有する材料で形成されている、ことを特徴とする可遮断性接続。

IPC (4件)：

H01L 21/82 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06

FI (3件)：

H01L 21/82 F ,  H01L 21/88 S ,  H01L 27/06 311 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-096255
  
• 特開平2-146762