誘電体薄膜キャパシタの製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-190056
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101531
出願日： 2004年06月28日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】基板、密着層、誘電体層、上部電極からなる誘電体キャパシタであって、キャパシタ特性に悪影響を与えず、かつ製造コストの低廉な密着層を備える誘電体薄膜キャパシタの製造方法を提供する。【解決手段】基板上10に、液体原料を塗布して1回目の熱処理を行い密着層20を形成する工程と、密着層20上に下部電極30を形成する工程と、下部電極30上に液体原料を塗布して2回目の熱処理を行って結晶化させ誘電体層40を形成する工程と、誘電体層40上に上部電極51,52を形成する工程と、1回目および2回目の熱処理温度よりも高い温度で3回目の熱処理を行う工程とからなり、密着層20と誘電体層40とは同一組成系の材料、あるいは同一の材料からなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に密着層前駆体膜を成膜して1回目の熱処理を行って結晶化させ密着層を形成する工程と、前記密着層上に下部電極を形成する工程と、前記下部電極上に、前記密着層前駆体膜と同一組成系の材料からなる誘電体層前駆体膜を成膜して、該誘電体層前駆体膜の結晶化温度よりも高い温度で2回目の熱処理を行って、誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層上に上部電極を形成する工程と、 1回目の熱処理および2回目の熱処理の熱処理温度よりも高い温度で3回目の熱処理を行う工程と、を含むことを特徴とする誘電体薄膜キャパシタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L21/822 , H01L21/8242 , H01L27/04 , H01L27/108

FI (3件)：

H01L27/04 C , H01L27/10 621Z , H01L27/10 651

Fターム (20件)：

5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC18 , 5F038BH03 , 5F038BH19 , 5F038DF01 , 5F038DF05 , 5F038EZ14 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F083AD21 , 5F083GA06 , 5F083GA21 , 5F083HA08 , 5F083JA14 , 5F083JA38 , 5F083PR22 , 5F083PR23 , 5F083PR33 , 5F083PR34

引用特許：

出願人引用 (1件)

キャパシタを有する半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-207033 出願人：富士通株式会社

審査官引用 (5件)

基板および配線層を備え、基板と配線層との間にバッファ層を有する集積回路
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-501501 出願人：サイメトリックスコーポレイション, 松下電子工業株式会社
誘電性コンデンサ用底部電極構造およびその作製方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平8-532762 出願人：サイメトリックスコーポレイション, 松下電子工業株式会社
薄膜コンデンサ内蔵電子回路及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-017758 出願人：株式会社日立製作所

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