特許
J-GLOBAL ID：200903061496742251
炭化珪素単結晶の成長方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
萼 経夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-098567
公開番号（公開出願番号）：特開平11-278999
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月12日
要約：
【要約】【課題】 欠陥が少なく大口径な炭化珪素単結晶を成長させる方法を提供する。【解決手段】 珪素基板上に形成された炭化珪素種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させるための成長容器と、前記容器内に設置される、前記種結晶を固定するための台座とを用いて前記種結晶から珪素基板を除去し、炭化珪素単結晶を成長させるにあたり、前記台座と前記容器の外側との連通を遮断して(例えば、通気性のない黒鉛9製の成長容器を用いる)炭化珪素単結晶を成長させることからなる炭化珪素単結晶の成長方法。
請求項（抜粋）：
珪素基板上に形成された炭化珪素種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させるための成長容器と、前記容器内に設置される、前記種結晶を固定するための台座とを用いて前記種結晶から珪素基板を除去し、炭化珪素単結晶を成長させるにあたり、前記台座と前記容器の外側との連通を遮断して炭化珪素単結晶を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/36 A
, C30B 23/00
