特許

J-GLOBAL ID：200903061498368624

冷陰極電界電子放出素子及び冷陰極電界電子放出表示装置

発明者： 山田 二郎 ,  沖田 昌海
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-137520
公開番号（公開出願番号）：特開2000-331596
出願日： 1999年05月18日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】一層高い電子放出効率を達成することができ、しかも、一層優れたフォーカス特性を有する冷陰極電界電子放出素子を提供する。【解決手段】冷陰極電界電子放出素子は、(イ)支持体11上に形成された第1ゲート電極12、(ロ)第1ゲート電極12上を含む支持体11上に形成された第1絶縁層13、(ハ)第1絶縁層13上に形成された電子放出層14、(ニ)電子放出層14上を含む第1絶縁層13上に形成された第2絶縁層15、(ホ)第2絶縁層15上に形成された第2ゲート電極16、並びに、(へ)第2ゲート電極、第2絶縁層、電子放出層及び第1絶縁層を貫通し、底部に第1ゲート電極の表面が露出した開口部17から成り、開口部17の壁面から突出した電子放出層14の端部から電子が放出され、第1絶縁層13の厚さをD<SB>1</SB>、第2絶縁層15の厚さをD<SB>2</SB>としたとき、D<SB>1</SB><D<SB>2</SB>なる関係を満足する。

請求項（抜粋）：

(イ)支持体上に形成された第1ゲート電極、(ロ)第1ゲート電極上を含む支持体上に形成された第1絶縁層、(ハ)第1絶縁層上に形成された電子放出層、(ニ)電子放出層上を含む第1絶縁層上に形成された第2絶縁層、(ホ)第2絶縁層上に形成された第2ゲート電極、並びに、(ヘ)第2ゲート電極、第2絶縁層、電子放出層及び第1絶縁層を貫通し、底部に第1ゲート電極の表面が露出した開口部、から成り、開口部の壁面から突出した電子放出層の端部から電子が放出される冷陰極電界電子放出素子であって、第1絶縁層の厚さをD<SB>1</SB>、第2絶縁層の厚さをD<SB>2</SB>としたとき、D<SB>1</SB><D<SB>2</SB>なる関係を満足することを特徴とする冷陰極電界電子放出素子。

IPC (3件)：

H01J 1/304 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12

FI (3件)：

H01J 1/30 F ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C

Fターム (12件)：

5C031DD09 ,  5C031DD17 ,  5C036EE01 ,  5C036EE04 ,  5C036EE19 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF08 ,  5C036EG02 ,  5C036EG12 ,  5C036EG15 ,  5C036EH04