特許

J-GLOBAL ID：200903061502523621

半導体光素子

発明者： 加藤 隆志
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  戸津 洋介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-035283
公開番号（公開出願番号）：特開2008-198942
出願日： 2007年02月15日
公開日（公表日）： 2008年08月28日
要約：

【課題】電子のオーバーフローを抑制することができる半導体光素子を提供する。【解決手段】半導体光素子10は、井戸層31及びバリア層32を含み量子井戸構造を有する活性層15と、バリア層32上に設けられIII-V族化合物半導体材料からなるオフセット層35(第1のクラッド層)と、オフセット層35上に設けられp型不純物を含む電子ストッパー層17と、電子ストッパー層17上に設けられオフセット層35と同一材料からなり、電子ストッパー層17のp型不純物濃度よりも低い濃度のp型不純物を含む第2のクラッド層18とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

井戸層及びバリア層を含み量子井戸構造を有する活性層と、 前記バリア層上に設けられIII-V族化合物半導体材料からなる第1のクラッド層と、 前記第1のクラッド層上に設けられp型不純物を含む電子ストッパー層と、 前記電子ストッパー層上に設けられ前記第1のクラッド層と同一材料からなり、前記電子ストッパー層のp型不純物濃度よりも低い濃度のp型不純物を含む第2のクラッド層と、 を備える、半導体光素子。

IPC (1件)：

H01S 5/20

FI (1件)：

H01S5/20 610

Fターム (12件)：

5F173AA01 ,  5F173AA26 ,  5F173AF24 ,  5F173AF29 ,  5F173AF38 ,  5F173AG17 ,  5F173AG21 ,  5F173AG24 ,  5F173AH30 ,  5F173AR24 ,  5F173AR25 ,  5F173AS01