特許

J-GLOBAL ID：200903061506826807

深-UV、I-線またはE-ビームリソグラフ用の新規シリコン含有ネガレジスト

発明者： ジヤガンナータン・プレムラータ ,  ハルバンス・エス・サクデヴ ,  ラトナム・ソーリヤクマーラン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-159869
公開番号（公開出願番号）：特開平6-095385
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【効果】 この新規ホトレジストは容易に合成されそして水性塩基現像性、すぐれたO2RIE抵抗、およびDUV、I-線およびE-ビーム露光への高い感光度などの利点を有している。【構成】 ポリ(4-ヒドロキシベンジル)シルセスキオキサンポリマー骨格;および前記ポリ(4-ヒドロキシベンジル)シルセスキオキサンポリマー骨格のフェノール基に共有結合した芳香族アジド含有基からなるホトレジスト。

請求項（抜粋）：

ポリ(4-ヒドロキシベンジル)シルセスキオキサンポリマー骨格;および前記ポリ(4-ヒドロキシベンジル)シルセスキオキサンポリマー骨格のフェノール基に共有結合した芳香族アジド含有基からなるホトレジスト。

IPC (6件)：

G03F 7/038 505 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/012 501 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-301943
  
• 特開昭63-040142
  
• 特開昭61-144639
  
• 特開昭61-020030