特許
J-GLOBAL ID：200903061509747665

蓄電デバイスおよびその製造方法

発明者：
塩崎 竜二

塩崎 竜二 について

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安東 信雄

安東 信雄 について

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金子 聡子

金子 聡子 について

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谷口 雅彦

谷口 雅彦 について


出願人/特許権者：
富士重工業株式会社

富士重工業株式会社 について


代理人 (3件)： 筒井 大和 ,  小塚 善高 ,  筒井 章子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-142944
公開番号（公開出願番号）：特開2008-300102
出願日： 2007年05月30日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：
【課題】蓄電デバイスに対するリチウムイオンのドーピング時間を短縮する。【解決手段】蓄電デバイス10の電極積層ユニット12は交互に積層される正極14および負極15によって構成され、電極積層ユニット12の最外部にはリチウム極16が負極15に対向して配置される。正極端子18、負極端子19およびリチウム極端子20には、第1および第2通電制御部21a,21bを備えた充放電ユニット21が接続される。第1通電制御部21aを介してリチウム極16から正極14に電子を移動させ、リチウム極16から正極14にリチウムイオンをドープさせる。また、第2通電制御部21bを介してリチウム極16から負極15に電子を移動させ、リチウム極16から負極15にリチウムイオンをドープさせる。このように、正極14と負極15との双方にリチウムイオンをドープさせることにより、ドーピング時間を大幅に短縮することが可能となる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
正極と負極との少なくとも何れか一方にイオンがドーピングされる蓄電デバイスの製造方法であって、 前記正極とイオン供給源とを接続するとともに、前記負極とイオン供給源とを接続し、前記正極と前記負極との双方に前記イオン供給源からイオンをドーピングさせるドーピング工程を有することを特徴とする蓄電デバイスの製造方法。
IPC (2件)：
H01M 10/36 ,  H01M 4/48
FI (5件)：
H01M10/00 115 ,  H01M10/00 103 ,  H01M10/00 117 ,  H01M10/00 118 ,  H01M4/48 101
Fターム (56件)：
5H017AA03 ,  5H017CC05 ,  5H017CC28 ,  5H017DD08 ,  5H017EE01 ,  5H017EE04 ,  5H017EE05 ,  5H029AJ14 ,  5H029AK01 ,  5H029AK02 ,  5H029AK03 ,  5H029AK06 ,  5H029AK08 ,  5H029AK16 ,  5H029AL01 ,  5H029AL02 ,  5H029AL06 ,  5H029AL07 ,  5H029AM03 ,  5H029AM04 ,  5H029AM05 ,  5H029AM07 ,  5H029BJ02 ,  5H029BJ04 ,  5H029BJ12 ,  5H029BJ14 ,  5H029DJ07 ,  5H029EJ01 ,  5H050AA19 ,  5H050BA17 ,  5H050CA01 ,  5H050CA02 ,  5H050CA07 ,  5H050CA08 ,  5H050CA09 ,  5H050CA14 ,  5H050CA16 ,  5H050CA20 ,  5H050CB01 ,  5H050CB02 ,  5H050CB07 ,  5H050CB08 ,  5H050CB11 ,  5H050DA10 ,  5H050DA11 ,  5H050EA02 ,  5H050EA09 ,  5H050EA10 ,  5H050EA23 ,  5H050EA24 ,  5H050FA02 ,  5H050FA05 ,  5H050HA04 ,  5H050HA07 ,  5H050HA13 ,  5H050HA14
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (1件)

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