特許

J-GLOBAL ID：200903061513501824

絶縁体のめっき方法

発明者： 大福 英治 ,  前田 裕子 ,  川越 隆博 ,  林 秀行 ,  秋山 大作 ,  植田 秀一 ,  小瀬良 直美
出願人/特許権者： 株式会社ブリヂストン ,  メック株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-258984
公開番号（公開出願番号）：特開平6-081190
出願日： 1992年09月02日
公開日（公表日）： 1994年03月22日
要約：

【要約】【構成】 絶縁体の被めっき部に導電性高分子化合物の被膜を形成し、該被膜上に電気めっきを施す絶縁体のめっき法において、上記導電性化合物の被膜が1分子当り2個以上のアニオン基を有するドーパントを含有することにより、絶縁体の表面及びスルーホール内壁に良好にめっきを施すことができる。【効果】 本発明によれば、高い精度と信頼性が要求されるスルーホールめっきなどに対しても信頼性が大幅に向上した電気めっきを実現することができる。

請求項（抜粋）：

絶縁体の被めっき部に導電性高分子化合物の被膜を形成し、該被膜上に電気めっきを施す絶縁体のめっき方法において、上記導電性化合物の被膜が1分子当り2個以上のアニオン基を有するドーパントを含有することを特徴とする絶縁体のめっき方法。