特許
J-GLOBAL ID:200903061515542587

ガス分析装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 正次
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-048470
公開番号(公開出願番号):特開2000-251829
出願日: 1999年02月25日
公開日(公表日): 2000年09月14日
要約:
【要約】【課題】 この発明は、CVD、エッチングなどの半導体、電子部品用薄膜加工プロセスで使用されるガスの質量分析を、装置に損傷を与えずに行うことを目的としたものである。【解決手段】この発明は導入された被分析ガスを励起ビームによりイオン化し、これにより生じたイオンビームを質量に応じて分離・検出して質量分析を行うに当り、バリア領域の厚み(励起ビームあるいはイオンビームが通過する長さ)よりも、励起ビームあるいはイオンビームのバリア領域での実効平均自由行程が大きく、バリア領域の厚みよりも、被分析ガスのバリア領域での平均自由行程が小さく、被分析ガスのバリア領域でのクヌーセン数が1以下であり、バリア領域の圧力がイオン化領域の圧力よりも高く、バリア領域からイオン化領域へバリアガスが流れていることの条件を満足させることにより、励起ビームあるいはイオンビームは通過できるが被分析ガスは通過できないようなバリア領域を、イオン化領域と励起源部あるいはイオン化領域と質量分析部の接続部分に設けたことを特徴とするガス分析装置である。
請求項(抜粋):
導入された被分析ガスを励起ビームによりイオン化し、これにより生じたイオンビームを質量に応じて分離・検出して質量分析を行うに当り、(1) バリア領域の厚み(励起ビームあるいはイオンビームが通過する長さ)よりも、励起ビームあるいはイオンビームのバリア領域での実効平均自由行程が大きく、(2) バリア領域の厚みよりも、被分析ガスのバリア領域での平均自由行程が小さく、(3) 被分析ガスのバリア領域でのクヌーセン数が1以下であり、(4) バリア領域の圧力がイオン化領域の圧力よりも高く、バリア領域からイオン化領域へバリアガスが流れていること、の条件を満足させることにより、励起ビームあるいはイオンビームは通過できるが被分析ガスは通過できないようなバリア領域を、イオン化領域と励起源部あるいはイオン化領域と質量分析部の接続部分に設けたことを特徴とするガス分析装置。
IPC (2件):
H01J 49/04 ,  G01N 27/62
FI (2件):
H01J 49/04 ,  G01N 27/62 G
Fターム (7件):
5C038EE01 ,  5C038EF33 ,  5C038GG01 ,  5C038GH02 ,  5C038GH08 ,  5C038GH11 ,  5C038GH13
引用特許:
出願人引用 (6件)
  • 特開昭59-230244
  • 特開昭48-047890
  • 特開昭58-206038
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審査官引用 (12件)
  • 特開昭59-230244
  • 特開昭48-047890
  • 特開昭58-206038
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