圧電共振子、電子部品及び電子機器

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中野雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-253661
公開番号（公開出願番号）：特開2001-211053
出願日： 2000年08月24日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【目的】共振周波数の温度特性が安定で、かつ共振レスポンスも大きくて共振特性が良好な圧電薄膜共振子を製作する。【解決手段】 Si基板22の上面にSiO2薄膜23を形成し、Si基板22の中央部を開口して設けた空洞24の上にSiO2薄膜23を形成し、SiO2薄膜23の上にAlN圧電薄膜26A及びZnO圧電薄膜26Zからなる圧電積層体28を形成する。圧電積層体28の上面及び下面には、励振用電極27b,27aを設ける。ZnO圧電薄膜26ZとAlN圧電薄膜26Aとは、共振周波数の温度係数の符号が逆であるので、互いに打ち消し合い、全体として温度係数がゼロになる。また、ZnOとAlNはいずれも圧電材料であるから、共振特性が向上する。

請求項（抜粋）：

基板の上に、該基板から少なくとも一部を浮かせるようにして絶縁体層を形成し、共振周波数の温度係数が正である1層もしくは複数層の圧電体層と該温度係数が負である1層もしくは複数層の圧電体層とを積層した圧電積層体を前記絶縁体層の上に配置し、前記圧電積層体を構成する圧電体層の少なくとも1層を挟むようにして電極を設けたことを特徴とする圧電共振子。

Fターム (12件)：

5J108AA04 , 5J108BB01 , 5J108BB07 , 5J108BB08 , 5J108CC01 , 5J108CC11 , 5J108DD01 , 5J108EE03 , 5J108EE07 , 5J108EE13 , 5J108FF01 , 5J108KK02

引用特許：

出願人引用 (10件)

圧電共振子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-339358 出願人：京セラ株式会社
特開平4-349164
特開平3-148186

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審査官引用 (7件)

特開平4-349164
圧電共振子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-339358 出願人：京セラ株式会社
特開平3-148186

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