特許

J-GLOBAL ID：200903061529651982

薄膜磁性体記憶装置

発明者： 日高 秀人
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-196417
公開番号（公開出願番号）：特開2003-016777
出願日： 2001年06月28日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 高速かつ安定したデータ読出を実行可能な薄膜磁性体記憶装置を提供する。【解決手段】 データ読出前にプリチャージ電圧VprにプリチャージされたデータバスDBは、データ読出時に選択メモリセルを介して、プリチャージ電圧Vprと同一の電圧と電気的に結合される。ドライブドランジスタ62aは、データ読出時にセンス電流を流すために、データバスDBを電源電圧VDDと結合する。電荷転送型増幅部100は、データバスDBの電圧をプリチャージ電圧Vprに維持しつつ、データバスDBを流れるセンス電流Isの積分値に応じて出力電圧Voutを生成する。トランスファゲート130、差動増幅器140およびラッチ回路145は、所定タイミングにおける出力電圧Voutに基いて、読出データDOUTを生成する。

請求項（抜粋）：

印加磁界によって書込まれた記憶データレベルに応じて電気抵抗値が変化する複数の磁気メモリセルと、データ読出時において、前記複数の磁気メモリセルのうちの選択された磁気メモリセルを介して、第1の電圧と電気的に結合される第1のデータ線と、データ読出前において、前記第1のデータ線を前記第1の電圧にプリチャージするための第1のプリチャージ回路と、前記データ読出時において、データ読出電流を流すために前記第1のデータ線を第2の電圧と結合するための第1の読出駆動回路と、前記第1のデータ線と第1の内部ノードとの間に設けられ、前記第1のデータ線の電圧を維持するとともに、前記第1のデータ線上の前記データ読出電流の積分値に応じた第1の出力電圧を前記第1の内部ノードに生成するための第1の電荷転送帰還型増幅部と、前記第1の内部ノードの電圧に基いて、読出データを生成する増幅部とを備える、薄膜磁性体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 11/15 ,  G11C 11/14 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (5件)：

G11C 11/15 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/14 E ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (9件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA11 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA09 ,  5F083LA10 ,  5F083LA26 ,  5F083ZA28