特許
J-GLOBAL ID：200903061530304323
高密度DRAM用の粗化された多結晶シリコン表面のコンデンサ電極板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
湯浅 恭三 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-039172
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021752
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】 単位面積当たりの有効面積を増加させるため粗化された電極及びそれに基づく構造を有し、特に高密度ダイナミックランダムアクセスメモリーデバイス用に好適な微小化されたコンデンサを製造する方法。【構成】 本発明の方法は、導電性多結晶シリコン層を沈着させることに関する。その多結晶シリコン層上に耐火性金属のような金属を沈着させる。この複合層を加熱してケイ化金属及び粗化さえた多結晶シリコン表面を形成し、その間に結晶粒も大きく成長する。ケイ化金属を除去して粗化された表面を残す。粗化された表面上に多結晶シリコン層を形成してコンデンサを完成させる。
請求項（抜粋）：
単結晶半導体基板上に粗化された表面コンデンサを製造する方法であって、絶縁性基層と前記の基板を露出する接触開口部の全域にわたり個別に完成したDRAM上に第一コンデンサ板を形成するため、第一の多結晶シリコン薄層を沈着させること;前記第一の多結晶シリコン層に半導体用の不純物をドーピングすること;前記第一層の表面全域にケイ化物を形成可能な金属の薄層を沈着させること;その結果得られる複合層を、ケイ化をもたらす温度で粒界よりも結晶粒と優先的に反応するケイ素化を生起させ且つ該表面上にシリコン結晶粒を成長させる程度に十分な時間にわたって加熱し、それにより粗化された表面を形成すること;その結果得られる粗化された複合層から適当なエッチング剤を用いて該金属ケイ化物を除去すること;粗化された層の表面全域にコンデンサ誘電体層を形成するため絶縁性薄層を沈着させること;及び第二コンデンサ板を形成するため前記の絶縁性薄層の全域に第二の多結晶シリコン層を沈着させること;からなることを特徴とする方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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