特許

J-GLOBAL ID：200903061546604335

成膜方法およびプラズマ化学気相成長装置

発明者： 田中 嘉幸 ,  阿久根 洋文
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-324940
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134488
出願日： 2000年10月25日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】製造コスト高およびアルミニウム配線中のボイド発生を抑制し、パーティクルの安定性を向上しながら酸化シリコン膜などを高スループットで形成可能な成膜方法およびそれに用いられるプラズマ化学気相成長装置を提供する。【解決手段】チャンバー1内に基板支持部20を備えた高密度プラズマ化学気相成長装置を用いて、例えば被処理基板Wに酸化シリコン膜などの成膜処理を行い、被処理基板Wを所定枚数処理する毎にチャンバー内部をフッ素などのラジカルイオンでクリーニングを行う成膜方法であって、成膜処理時にチャンバーウォール10および基板支持部20の内部に導かれた共通の冷却系(10a,20a)によりチャンバーウォール10および基板支持部20を所定の温度に冷却してペデスタルのフッ化の進行と突発パーティクルの発生を抑制し、アルミニウム配線中にボイドを発生させずに酸化シリコン膜などを高スループットで形成する。

請求項（抜粋）：

チャンバー内に基板支持部を備えたプラズマ化学気相成長装置を用いて、被処理基板にプラズマ化学気相成長法による成膜処理を行う工程と、上記被処理基板を所定枚数処理する毎に上記チャンバー内部のラジカルイオンクリーニングを行う工程とを有する成膜方法であって、上記成膜処理を行う工程において、上記チャンバーを構成するチャンバーウォール部および上記基板支持部の内部に導かれた共通の冷却系により上記チャンバーウォール部および上記基板支持部を冷却して上記被処理基板を所定の温度に設定する成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/44 J ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/316 X

Fターム (34件)：

4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030DA06 ,  4K030FA03 ,  4K030JA10 ,  4K030JA12 ,  4K030KA26 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AD07 ,  5F045BB08 ,  5F045BB15 ,  5F045CB05 ,  5F045DP03 ,  5F045EB06 ,  5F045EH11 ,  5F045EH20 ,  5F045EJ03 ,  5F045EJ04 ,  5F045EJ09 ,  5F045EM05 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BG01 ,  5F058BG10 ,  5F058BJ02