特許

J-GLOBAL ID：200903061547812306

プラズマ処理装置

発明者： 馬渕 博嗣 ,  速水 利泰 ,  本多 茂樹
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-131819
公開番号（公開出願番号）：特開平9-320798
出願日： 1996年05月27日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】プラズマ処理の再現性を向上できるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】マイクロ波導入窓14と対面するように設けられた試料台と、試料台に対向してマイクロ波導入窓14の近傍に設けられ、電気的に接地された対向電極21とを備え、マイクロ波導入窓14からマイクロ波を導入し、また試料台に高周波を印加して、プラズマを発生させて試料を処理するプラズマ処理装置であって、反応容器11が独立した内面側壁11aを有し、この内面側壁11aが反応容器11の他の部分と分離手段23および25により絶縁され電気的に接地されていないプラズマ処理装置。

請求項（抜粋）：

マイクロ波を供給する手段と、反応容器と、反応容器の天井部に設けられたマイクロ波導入窓と、マイクロ波導入窓と対面して反応容器の内部に設けられた試料台と、試料台に高周波を印加する手段と、試料台に対向してマイクロ波導入窓の近傍に設けられ電気的に接地された対向電極とを備えたプラズマ処理装置であって、反応容器の側壁部分が、反応容器内部に面する内面側壁と反応容器の外部に面する外面側壁に分離され、この内面側壁が反応容器の他の部分から電気的に分離され電気的に接地されていないことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (5件)：

H05H 1/46 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B