特許
J-GLOBAL ID：200903061551599854
半導体基板の検査方法及び検査装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-138483
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332073
出願日： 1999年05月19日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】 半導体内部の原子レベルの構造(不純物原子・格子欠陥・人工構造)を計測することを可能とし、半導体基板を原子レベルの精密さで検査する方法を提供すること。【解決手段】 半導体表面にプローブ用原子を吸着し、このプローブ原子が表面上で拡散する様子を走査型プローブ顕微鏡(SPM)によって映像化する。半導体内部の不純物・欠陥・人工構造の存在が電場等の形でわずかに表面に影響を与えているが、これをプローブ原子が拾い、SPM像に現れるので、これによって半導体基板の内部構造を検知する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面にプローブ用原子を吸着させること、前記半導体基板の温度を所定の値に設定すること、前記プローブ原子の状態を前記温度のもとで走査型プローブ顕微鏡を用いて映像化することを特徴とする半導体基板の検査方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 L
, G01N 37/00 B
4M106AA01
, 4M106AA10
, 4M106BA20
, 4M106CB21
, 4M106DH01
, 4M106DH11
, 4M106DH44
, 4M106DH60
