特許

J-GLOBAL ID：200903061553849696

固体撮像装置、受光素子、並びに半導体の製造方法

発明者： 成井 禎
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 古谷 史旺 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-009442
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274465
出願日： 1999年01月18日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、埋め込み型構造のホトダイオードを有する固体撮像装置,受光素子並びに、これらの製造方法に関し、短波長光の感度を高めることを目的とする。【解決手段】 第1導電型の半導体基体(11)と、半導体基体に複数形成され、光の入射により信号電荷を蓄積する第2導電型の蓄積層(12)と、蓄積層の上面に形成される第1導電型の表面層(13)と、信号転送手段(15,16,17)とを備え、表面層と蓄積層との接合深さXjを0.067〜0.2μmに調製する。このような構造により、短波長感度を格段に向上させることができる。また、完全空乏化状態において、空乏領域の表面深さを0.2〜0.3μmに調製する。このような構造では、短波長感度の向上と、暗電流ノイズの抑制とをバランス良く達成することができる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基体と、前記半導体基体に複数形成され、光の入射により信号電荷を蓄積する第2導電型の蓄積層と、前記蓄積層の上面に形成される第1導電型の表面層と、前記蓄積層に蓄積された信号電荷を走査し、画像信号として外部へ出力する信号転送手段とを備え、前記表面層と前記蓄積層との接合深さXjが0.067〜0.2μmであることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/148 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 B