特許
J-GLOBAL ID:200903061554045183
半導体装置の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-124688
公開番号(公開出願番号):特開2004-335497
出願日: 2003年04月30日
公開日(公表日): 2004年11月25日
要約:
【課題】製造工程を複雑化することなく、半導体チップに形成された素子の電気的特性を変えることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ドライエッチング技術を使用して、ゲート電極18、19およびゲート電極20、21を形成する。ゲート電極18、19は、電極が相対的に密に配置される領域に形成される一方、ゲート電極20、21は相対的に電極が疎に配置されている領域に形成される。したがって、マイクロローディング効果によりゲート電極20、21のゲート長は、ゲート電極18、19のゲート長に比べて短くなる。続いて、下地の疎密により形成される膜の膜厚が異なる枚葉式の減圧熱CVD装置を使用して、半導体基板10上に窒化シリコン膜を形成する。そして、異方性エッチングを行うことにより、幅の異なるサイドウォール31、32およびサイドウォール33、34を形成する。【選択図】 図7
請求項(抜粋):
(a)半導体基板の第1領域に複数の第1MIS素子を形成し、前記半導体基板の第2領域に、前記第1領域上に形成される前記第1MIS素子の密度より低い密度で、複数の第2MIS素子を形成する工程を備え、
前記(a)工程は、
(a1)エッチングを使用することにより、前記第1MIS素子の第1ゲート電極および前記第2MIS素子の第2ゲート電極を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記(a1)工程は、加工する対象の密度によりエッチング速度の異なるマイクロローディング効果を利用して、前記第1ゲート電極のゲート長よりも前記第2ゲート電極のゲート長を小さく形成したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (13件):
H01L21/8234
, H01L21/28
, H01L21/318
, H01L21/3213
, H01L21/768
, H01L21/822
, H01L21/8244
, H01L27/04
, H01L27/088
, H01L27/10
, H01L27/11
, H01L29/423
, H01L29/49
FI (10件):
H01L27/08 102C
, H01L21/28 E
, H01L21/28 L
, H01L21/318 B
, H01L27/10 461
, H01L29/58 G
, H01L21/88 D
, H01L21/90 A
, H01L27/10 381
, H01L27/04 C
Fターム (171件):
4M104AA01
, 4M104BB01
, 4M104BB14
, 4M104BB20
, 4M104BB40
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD04
, 4M104DD08
, 4M104DD09
, 4M104DD16
, 4M104DD17
, 4M104DD26
, 4M104DD37
, 4M104DD43
, 4M104DD55
, 4M104DD64
, 4M104DD65
, 4M104DD75
, 4M104DD78
, 4M104DD84
, 4M104EE09
, 4M104EE17
, 4M104FF14
, 4M104FF17
, 4M104FF18
, 4M104FF22
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 4M104GG16
, 4M104GG19
, 4M104HH05
, 4M104HH12
, 4M104HH14
, 4M104HH16
, 4M104HH20
, 5F033HH04
, 5F033HH08
, 5F033HH18
, 5F033HH25
, 5F033HH33
, 5F033JJ18
, 5F033JJ19
, 5F033JJ33
, 5F033KK01
, 5F033KK08
, 5F033KK18
, 5F033KK25
, 5F033KK33
, 5F033LL04
, 5F033MM07
, 5F033MM08
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033NN20
, 5F033NN37
, 5F033NN38
, 5F033PP06
, 5F033PP15
, 5F033QQ08
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ11
, 5F033QQ16
, 5F033QQ31
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033QQ58
, 5F033QQ65
, 5F033QQ70
, 5F033QQ73
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033SS12
, 5F033SS13
, 5F033SS15
, 5F033TT02
, 5F033TT08
, 5F033VV01
, 5F033VV06
, 5F033VV10
, 5F033VV16
, 5F033XX00
, 5F033XX01
, 5F033XX03
, 5F033XX10
, 5F033XX28
, 5F033XX33
, 5F038AC05
, 5F038AC17
, 5F038EZ14
, 5F038EZ20
, 5F048AA01
, 5F048AA09
, 5F048AB01
, 5F048AB03
, 5F048AC01
, 5F048AC03
, 5F048BA01
, 5F048BB03
, 5F048BB05
, 5F048BB08
, 5F048BB09
, 5F048BB11
, 5F048BB12
, 5F048BC05
, 5F048BC06
, 5F048BD02
, 5F048BD04
, 5F048BE03
, 5F048BE04
, 5F048BF02
, 5F048BF07
, 5F048BF11
, 5F048BF12
, 5F048BF16
, 5F048BG12
, 5F048BG13
, 5F048DA27
, 5F048DA30
, 5F058BA06
, 5F058BC08
, 5F058BD10
, 5F058BF04
, 5F058BH12
, 5F058BJ02
, 5F058BJ04
, 5F083BS00
, 5F083BS05
, 5F083BS17
, 5F083GA27
, 5F083JA02
, 5F083JA19
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA53
, 5F083JA56
, 5F083KA20
, 5F083LA03
, 5F083LA04
, 5F083LA05
, 5F083LA29
, 5F083MA04
, 5F083MA05
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
, 5F083NA01
, 5F083NA02
, 5F083PR03
, 5F083PR09
, 5F083PR21
, 5F083PR29
, 5F083PR36
, 5F083PR40
, 5F083PR43
, 5F083PR44
, 5F083PR45
, 5F083PR46
, 5F083PR53
, 5F083PR54
, 5F083PR55
, 5F083PR56
, 5F083ZA05
, 5F083ZA06
, 5F083ZA12
, 5F083ZA28
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