特許

J-GLOBAL ID：200903061556845438

半導体装置とその製造方法

発明者： 渕上 伸隆 ,  坂本 光造
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-022408
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223835
出願日： 1997年02月05日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】半導体チップの実装面積を増やすことなしに複数のパワーMOSFETを集積化する。【解決手段】チップの裏面間を接合してチップを2層構造にする。この場合、チップ間の配線方法が実用化の鍵となるが、パッケージ内部に被着された金属シートを分割し、片方の金属シートを上側チップに接続させる。

請求項（抜粋）：

縦型構造の電界効果トランジスタを有する第1の半導体チップと縦型構造の電界効果トランジスタを有する第2の半導体チップによって構成される半導体装置において、前記第1の半導体チップの裏面と前記第2の半導体チップの裏面とが対向して接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/00 301 ,  H01L 27/00 ,  H01L 27/15 ,  H01L 29/78 ,  H01L 31/0248

FI (5件)：

H01L 27/00 301 B ,  H01L 27/00 301 W ,  H01L 27/15 B ,  H01L 29/78 656 Z ,  H01L 31/08 K