特許
J-GLOBAL ID：200903061557700859
エッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-304111
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145282
出願日： 1997年11月06日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 スルーホールのエッチングはフロロカーボンガスを用いて行われるため、側壁に付着した堆積物は、プラズマにより容易に酸化されるAlのフッ化物を含んでおり、塩素を添加しただけでは除去されず、塩素が残留するとスルーホール底面のAl配線が腐食される。【解決手段】 配線金属膜上に設けられた絶縁膜に前記配線金属膜面を表出するスルーホールを形成するに際して、レジストをマスクとし、絶縁膜に対し活性なエッチングガスによるドライエッチング手段により絶縁膜に配線金属膜面を表出するスルーホールを形成し、スルーホール側壁をBCl3ガスを含むプラズマにより処理し、HおよびOを含むプラズマによりレジストをアッシングするエッチング方法。
請求項（抜粋）：
配線金属膜上に設けられた絶縁膜に前記配線金属膜面を表出するスルーホールを形成するに際して、前記レジストをマスクとし、前記絶縁膜に対し活性なエッチングガスによるドライエッチング手段により前記絶縁膜に前記配線金属膜面を表出するスルーホールを形成する工程と、前記スルーホール側壁をBCl3ガスを含むプラズマにより処理する工程と、HおよびOを含むプラズマにより前記レジストをアッシングする工程と、を備えたことを特徴とするエッチング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28
, H01L 21/027
, H01L 21/3065
H01L 21/90 A
, H01L 21/28 L
, H01L 21/30 572 A
, H01L 21/302 G
