特許

J-GLOBAL ID：200903061559620178

半導体装置及びその製造方法

発明者： 藤田 直樹 ,  中嶋 誠 ,  鍵井 秀政 ,  三上 昭夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-286545
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100709
出願日： 2000年09月21日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】 微小な半導体装置の封止体を比較的容易に低コストで形成し得る技術を提供する。【解決手段】 半導体基板の主面に半導体素子を形成した半導体チップに、前記半導体素子と接続する外部端子を半導体基板主面上に絶縁膜を介して形成する半導体装置において、前記半導体チップの主面及び側面を覆う第1の封止体と、前記半導体チップの裏面を覆う第2の封止体とによって、前記半導体チップを封止する。かかる本発明によれば、半導体素子寸法に近似したCSP型の半導体装置を、リードフレーム、放熱板、セラミック基板等を用いずに製造することができるので、従来の場合よりも半導体装置を薄型化することができ、加えて半導体装置を安価に製造することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面に半導体素子を形成した半導体チップに、前記半導体素子と接続する外部端子を半導体基板主面上に絶縁膜を介して形成する半導体装置において、前記半導体チップの主面及び側面を覆う第1の封止体と、前記半導体チップの裏面を覆う第2の封止体とによって、前記半導体チップを封止したことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/301 ,  H01L 23/12 501

FI (5件)：

H01L 21/56 E ,  H01L 23/12 501 P ,  H01L 23/30 B ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 L

Fターム (14件)：

4M109AA02 ,  4M109BA07 ,  4M109CA05 ,  4M109CA10 ,  4M109DB15 ,  4M109EA02 ,  4M109EA07 ,  4M109EA11 ,  5F061AA02 ,  5F061BA07 ,  5F061CA05 ,  5F061CA10 ,  5F061CB02 ,  5F061CB13