特許

J-GLOBAL ID：200903061564519906

MESFETを含む半導体装置およびその製造方法

発明者： 中川 義和
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-178417
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021100
出願日： 1992年07月06日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 簡易な構造でかつ入出力特性の直線性がよく、飽和出力も高く、さらに雑音指数の高いMESFETを提供する。【構成】 ドレイン層3、ソース層4およびチャネル領域5をアニールする際、水素を多量に含みそれほど緻密ではないSiN膜をGaAs基板2の表面に形成して、N2雰囲気中でアニールを行なう。これにより、GaAs基板2の表面の酸素が還元除去される。また、ドレイン電極13、ソース電極14およびゲート電極15を形成する部分だけアニール膜6を開口する。【効果】 基板表面の表面準位を低減し表面空乏層を薄くできる。

請求項（抜粋）：

半絶縁性半導体基板内に素子領域を形成する工程、前記半導体基板上に水素を多量に含んだアニール膜を形成する工程、不活性ガスを用いて前記素子領域をアニールする工程、前記アニール膜を除去する工程、前記半導体基板上にゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程、前記半導体基板、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を保護する保護膜を形成する工程、を備えたMESFETを含む半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/324