特許
J-GLOBAL ID：200903061569619593
半導体光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-112222
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302916
出願日： 1993年04月14日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 集積化及び小型化を容易に行え、パルス光を発する半導体光素子を提供すること。【構成】 超格子構造の吸収層6を備える吸収部Bに電圧が印加され2準位間エネルギーギャップが高くなり、発振する光に対する吸収係数が小さくなる。このとき、活性層11を備える利得部Cでは利得に比べて共振器内の損失が小さくなり光が発振する。光が発振した状態では、吸収部Bと直列接続された抵抗Rにかかる電圧が増加して吸収部Bにかかる電圧が減少し、吸収層6の吸収係数は大きくなる。このとき、吸収層6での光の吸収が大きくなり、活性層11の光利得に比べて共振器内の損失が大きくなり、光の発振が停止する。光の発振が停止すると吸収部Bにかかる電圧が増加し、吸収層6の吸収係数が小さくなり、共振器全体の損失が活性層11の光利得より小さくなって光が発振する。これを繰り返すことによって、パルス光が出力される。
請求項（抜粋）：
積層方向に活性層を挟んで両側に反射鏡を備え、この両反射鏡間での吸収損失より大きな光利得で積層方向に光を発振させる半導体光素子において、前記両反射鏡間に、前記光に対して吸収係数の双安定性を有する吸収層を備えることを特徴とする半導体光素子。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, H01L 33/00
, C30B 29/68
, G02B 6/12
