特許

J-GLOBAL ID：200903061572147813

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 浅野 隆史
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-023668
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222694
出願日： 1995年02月13日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】半導体基板とインダクタとの間の誘電容量の少ない半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】半導体基板上に形成したインダクタの上面側から半導体基板に孔を形成しインダクタと半導体基板との間に充分な厚さの絶縁性気体層又は真空層を設ける。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたインダクタが、この半導体基板上に形成された孔上に位置し、前記インダクタと前記半導体基板との間に絶縁性気体の層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01F 17/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/314

FI (4件)：

H01L 27/04 L ,  H01F 17/00 A ,  H01L 21/314 Z ,  H01L 21/302 J