特許

J-GLOBAL ID：200903061572713770

薄膜デバイスの製造方法

発明者： 松丸 治男 ,  山本 英明 ,  白橋 和男 ,  松川 由佳 ,  谷口 秀明 ,  笹野 晃
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-007269
公開番号（公開出願番号）：特開平5-196961
出願日： 1992年01月20日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】陽極酸化時、走査信号線GLのAl層g2が断線することを防ぐ。【構成】陽極酸化マスクAOを走査信号線GLのAl層g2上でクランク状に形成して、陽極酸化を行う。

請求項（抜粋）：

ソース、ドレイン、ゲート、半導体層及び該半導体層と上記ゲートの間に形成されるゲート絶縁膜を有する薄膜トランジスタと、外部接続端子と、上記ゲートと上記端子とを電気的に接続するためのゲート配線とを一つの基板上に形成する薄膜デバイスの製造方法であって、上記ゲート及び上記ゲート配線を構成する金属層を上記基板上に選択的に形成する第一の工程と、その境界線が上記ゲート配線上に位置し、上記境界線を基準にして、一方では上記ゲート側の上記金属層を覆い、他方では上記端子側の上記金属層を露出するマスク層を形成する第二の工程と、上記マスク層のパターンに従って上記金属層の表面を選択的に陽極酸化する第三の工程とを具備して成り、上記ゲート配線上における上記境界線は折線状であることを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/133 550 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/78 311 A ,  H01L 29/78 311 G