特許
J-GLOBAL ID:200903061580695390

金属ドープモリブデン酸化物層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子及び製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 酒井 宏明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-210447
公開番号(公開出願番号):特開2009-044101
出願日: 2007年08月10日
公開日(公表日): 2009年02月26日
要約:
【課題】容易に製造することができ、且つ発光特性及び寿命特性が良好な有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】陽極、発光層及び陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記陽極と前記発光層との間に設けられた、金属ドープモリブデン酸化物層をさらに有する有機エレクトロルミネッセンス素子;並びに素子を構成する他の層上に、酸化モリブデン及びドーパント金属を同時に積層し、金属ドープモリブデン酸化物層を得る積層工程を含む前記有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
陽極、発光層及び陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、 前記陽極と前記発光層との間に設けられた、金属ドープモリブデン酸化物層をさらに有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
IPC (2件):
H01L 51/50 ,  H05B 33/10
FI (4件):
H05B33/22 C ,  H05B33/10 ,  H05B33/22 D ,  H05B33/14 A
Fターム (19件):
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC02 ,  3K107CC03 ,  3K107CC21 ,  3K107CC45 ,  3K107DD60 ,  3K107DD72 ,  3K107DD73 ,  3K107DD79 ,  3K107DD84 ,  3K107DD86 ,  3K107FF06 ,  3K107FF14 ,  3K107GG02 ,  3K107GG04 ,  3K107GG05 ,  3K107GG26 ,  3K107GG28
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 有機EL素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-176037   出願人:ティーディーケイ株式会社
審査官引用 (1件)

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